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PJQ4463AP_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:56:24 查看 阅读:18

PJQ4463AP_R2_00001 是一款由 Panjit(强茂)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管通常用于需要高效、高速开关性能的应用场景中,例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,使其适用于中高功率应用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏极电流:60A
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
  功率耗散:150W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

PJQ4463AP_R2_00001 的主要特性包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  其高电流承载能力和高耐压性能使其非常适合用于大功率应用。
  此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。
  TO-263 封装形式提供了良好的散热性能,同时也方便在 PCB 上安装和焊接。
  该 MOSFET 具有快速开关特性,适用于高频操作,从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
  同时,其栅极驱动电压范围宽,支持 10V 至 20V 的驱动电压,提高了设计的灵活性。

应用

该 MOSFET 主要应用于各种电源管理系统,例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关控制。
  它也常用于工业自动化设备、电机控制、电源适配器以及电动车相关设备中的功率管理模块。
  此外,PJQ4463AP_R2_00001 还可用于 UPS(不间断电源)、服务器电源和通信设备中的高效率功率转换电路。
  由于其出色的热性能和高可靠性,它在需要长时间稳定运行的系统中也表现出色。

替代型号

SiR446DP-T1-GE3, IRF4463PBF, IPB066N06N G, FDD6688

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PJQ4463AP_R2_00001参数

  • 现有数量5,000现货
  • 价格1 : ¥3.97000剪切带(CT)5,000 : ¥1.32899卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)68 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)879 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN