时间：2025/8/14 4:56:24
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PJQ4463AP_R2_00001 是一款由 Panjit（强茂）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管通常用于需要高效、高速开关性能的应用场景中，例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等。该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，使其适用于中高功率应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：60A
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散：150W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
PJQ4463AP_R2_00001 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
其高电流承载能力和高耐压性能使其非常适合用于大功率应用。
此外，该器件具有出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
TO-263 封装形式提供了良好的散热性能，同时也方便在 PCB 上安装和焊接。
该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频操作，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
同时，其栅极驱动电压范围宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，提高了设计的灵活性。
该 MOSFET 主要应用于各种电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关控制。
它也常用于工业自动化设备、电机控制、电源适配器以及电动车相关设备中的功率管理模块。
此外，PJQ4463AP_R2_00001 还可用于 UPS（不间断电源）、服务器电源和通信设备中的高效率功率转换电路。
由于其出色的热性能和高可靠性，它在需要长时间稳定运行的系统中也表现出色。
SiR446DP-T1-GE3, IRF4463PBF, IPB066N06N G, FDD6688
