PJQ4463AP_R2_00001 是一款由 Panjit(强茂)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款晶体管通常用于需要高效、高速开关性能的应用场景中,例如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及马达控制等。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,使其适用于中高功率应用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流:60A
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
功率耗散:150W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
PJQ4463AP_R2_00001 的主要特性包括低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
其高电流承载能力和高耐压性能使其非常适合用于大功率应用。
此外,该器件具有出色的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。
TO-263 封装形式提供了良好的散热性能,同时也方便在 PCB 上安装和焊接。
该 MOSFET 具有快速开关特性,适用于高频操作,从而减少了开关损耗并提高了响应速度。
同时,其栅极驱动电压范围宽,支持 10V 至 20V 的驱动电压,提高了设计的灵活性。
该 MOSFET 主要应用于各种电源管理系统,例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关控制。
它也常用于工业自动化设备、电机控制、电源适配器以及电动车相关设备中的功率管理模块。
此外,PJQ4463AP_R2_00001 还可用于 UPS(不间断电源)、服务器电源和通信设备中的高效率功率转换电路。
由于其出色的热性能和高可靠性,它在需要长时间稳定运行的系统中也表现出色。
SiR446DP-T1-GE3, IRF4463PBF, IPB066N06N G, FDD6688