您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PJQ4460AP-AU_R2_000A1

PJQ4460AP-AU_R2_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 9:25:35 查看 阅读:11

PJQ4460AP-AU_R2_000A1 是一款由 Power Integrations 公司推出的高集成度、高效能的功率开关器件,主要用于开关电源(SMPS)设计中。该芯片集成了高压功率 MOSFET 和控制器,采用先进的 InnoSwitch? 技术,具备同步整流功能,适用于高能效、小体积的电源适配器、充电器和其他低功耗电源系统。该器件支持宽输入电压范围,并通过初级侧感应实现精确的输出电压调节。

参数

类型:集成功率开关
  封装:表面贴装(SMD)
  输出功率:最大支持约 60W(依设计而定)
  工作电压:85VAC 至 265VAC(宽输入范围)
  控制器类型:PWM 控制器与同步整流控制器集成
  功率 MOSFET:内置高压 MOSFET
  拓扑结构:反激式(Flyback)
  输出电压调节方式:初级侧感应(PSR)
  效率等级:高达 94% 以上的转换效率
  保护功能:过温保护(OTP)、过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C

特性

PJQ4460AP-AU_R2_000A1 的核心优势在于其高度集成的设计,将控制器与功率 MOSFET 集成在同一封装中,极大地简化了电源设计并减少了外部元件数量。该器件采用了 Power Integrations 独家的 FluxLink? 技术,实现次级侧反馈的数字隔离,提升了系统的稳定性和可靠性。
  该芯片支持精确的输出电压调节,无需使用光耦合器,从而提高了系统的可靠性并降低了成本。此外,其内置的同步整流控制器可显著提升电源转换效率,尤其适用于高能效要求的应用场景。
  在保护机制方面,PJQ4460AP-AU_R2_000A1 提供了多重保护功能,包括过温、过压、过流和短路保护,确保系统在异常情况下的安全运行。该器件还支持频率抖动技术,以降低电磁干扰(EMI)水平,满足国际电磁兼容性标准。
  由于采用了节能设计,该芯片在轻载和空载条件下也能保持极低的功耗,符合能源之星(Energy Star)等能效标准。

应用

PJQ4460AP-AU_R2_000A1 主要应用于需要高效能、小体积和高可靠性的电源系统,如:
  ? 笔记本电脑电源适配器
  ? 平板电脑充电器
  ? 手机快充充电器
  ? 工业控制设备电源
  ? 医疗设备电源
  ? 网络通信设备电源
  ? LED 照明驱动电源

替代型号

PIQ4460AP-AU_R2_000A1, INN2260, INN2261, UCC28910

PJQ4460AP-AU_R2_000A1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PJQ4460AP-AU_R2_000A1参数

  • 现有数量4,999现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)5,000 : ¥1.27815卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.7A(Ta),11A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)9.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)509 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.4W(Ta),23.8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN