时间：2025/8/14 3:33:44
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PJQ4444P_R2_00001 是一款由 PanJit（强茂）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。其设计适用于高频率开关应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，便于安装和散热。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：15A（最大值）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值，VGS=10V）
功耗（PD）：32W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
PJQ4444P_R2_00001 的核心特性之一是其极低的导通电阻 RDS(on)，这使得在高电流工作状态下功率损耗显著降低，提高了系统效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOS 工艺，不仅降低了 RDS(on)，还提升了高频开关性能，适用于需要快速开关的应用场景。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定运行，适合在严苛的工业环境中使用。
其 TO-252 封装形式提供了良好的散热性能，同时便于 PCB 布局和焊接，适用于自动化生产流程。
该器件还具备较高的耐压能力和过流保护能力，增强了系统的可靠性与安全性。
该 MOSFET 主要用于电源管理领域，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路以及电池管理系统等。
在服务器、台式机、笔记本电脑、UPS（不间断电源）以及工业控制设备中，PJQ4444P_R2_00001 可作为主开关器件或同步整流器件使用，提供高效能和稳定的工作表现。
由于其低导通电阻和良好的热性能，它也适用于高电流输出的电源适配器、LED 驱动器以及功率放大器等应用。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动工具、车载逆变器等设备中，满足汽车电源系统对高可靠性和高效率的需求。
Si4440DY-T1-GE3, IRF4444ZTRPBF, FDS4444, AO4444
