时间：2025/8/14 11:29:11
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PJQ4403P_R2_00001 是一款由 PanJIT（强茂）公司生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于功率控制和开关应用。该型号属于P沟道MOSFET，常用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中。PJQ4403P_R2_00001的设计具有较低的导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.4A
导通电阻（RDS(on)）：约0.125Ω（在VGS = -10V时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
PJQ4403P_R2_00001 采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件在高温环境下依然能够保持稳定的工作性能，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。SOT-223封装形式使其适合表面贴装工艺，便于自动化生产和紧凑型设计。此外，其高栅极绝缘性能确保了器件在高电压应用中的可靠性和安全性。
该器件广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关电路、汽车电子系统以及各种便携式电子设备中。由于其较高的电流承载能力和较低的导通电阻，PJQ4403P_R2_00001非常适合用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
Si4435BDY-E3-GEVB, FDC640P, AO4403
