时间：2025/8/14 8:55:30
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PJQ4402P-AU_R2_000A1是一款由PanJit（强茂）公司生产的双N沟道增强型功率MOSFET，封装为TSSOP-8，适用于高效率、小体积的电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高电流承载能力，适用于便携式设备、DC-DC转换器、电池管理系统等应用场景。
类型：MOSFET（N沟道，双通道）
漏源电压（Vds）：20V
漏极电流（Id）：6A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，@Vgs=4.5V）
栅极电压（Vgs）：+12V/-12V
功率耗散：1.6W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TSSOP-8
PJQ4402P-AU_R2_000A1具备多项优异特性，适用于高性能电源管理应用。其双N沟道MOSFET设计可有效减少外部元件数量，简化电路布局，提高系统可靠性。采用先进的沟槽式工艺，使得导通电阻（Rds(on)）非常低，从而降低了导通损耗，提高了效率。此外，该器件支持高达6A的漏极电流，能够满足对电流能力要求较高的应用需求。由于其工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），因此可以在各种环境条件下稳定工作。
该MOSFET的封装形式为TSSOP-8，具有较小的封装体积，适合用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、便携式充电设备等。其栅极电压范围为±12V，确保了在各种驱动条件下均能稳定运行。同时，该器件的功率耗散能力达到1.6W，能够在较高负载条件下保持良好的热稳定性。
此外，PJQ4402P-AU_R2_000A1还具有良好的热阻性能，有助于提高器件在高温环境下的可靠性。该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关电源和负载切换电路。由于其优异的电气特性和封装优势，该器件广泛用于电源管理、电机驱动、LED背光控制等应用领域。
该器件主要应用于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备、电机驱动电路、LED照明驱动、USB电源控制等场景。由于其双通道设计和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效能和小尺寸设计的电子产品中。
Si2302DS, AO4402, TPS2L100EVM, NXM4402N
