PJQ2416_R1_00001是一款由PanJit(强茂)公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高频率开关应用,具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点。其封装形式为DFN5x6,适用于各种电源管理和DC-DC转换器应用。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(Id):16A
漏极-源极击穿电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:DFN5x6
PJQ2416_R1_00001采用了先进的沟槽式MOSFET技术,使其在导通电阻和开关性能之间取得了良好的平衡。该器件具有以下主要特性:
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为5.5mΩ,在高电流应用中可以有效降低功率损耗,提高系统效率。
2. 高电流能力:16A的连续漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。
3. 高耐压能力:30V的漏极-源极耐压确保其在多种电源应用中稳定工作。
4. 快速开关特性:优化的开关性能减少开关损耗,适用于高频操作环境。
5. 小型封装:DFN5x6封装不仅节省空间,还具有良好的热性能,便于散热设计。
6. 高可靠性:适用于工业级工作温度范围,确保在恶劣环境下稳定运行。
PJQ2416_R1_00001广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中,包括:
1. DC-DC转换器:如降压(Buck)、升压(Boost)和降压-升压(Buck-Boost)转换器,用于高效电源转换。
2. 电源管理模块:适用于电池供电设备、笔记本电脑、服务器电源等系统中的功率控制。
3. 电机驱动电路:用于控制电机的启停和调速,提供高效能的驱动解决方案。
4. 负载开关:在多路电源系统中作为负载开关,实现对不同负载的精确控制。
5. 电源适配器与充电器:适用于高效率AC-DC电源适配器和电池充电器设计。
6. 工业自动化设备:用于PLC、工业控制设备中的功率开关与调节。
SiSS16DN,R6004END,R6004END1