类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.125Ω（典型值）@ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

PJQ2410 是一款性能优异的功率 MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热稳定性等特点。
　　其导通电阻在 VGS=10V 时仅为 0.125Ω，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏极电流额定值为 8.0A，适用于中等功率的开关和驱动应用。
　　此外，PJQ2410 具有高达 ±20V 的栅极电压耐受能力，提高了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。其 TO-252 封装形式具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于各种严苛的工业环境。PJQ2410 还具备良好的抗雪崩击穿能力和过热保护特性，增强了系统的稳定性和耐用性。

PJQ2410 主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化控制电路中。
　　在 DC-DC 转换器中，PJQ2410 可作为主开关器件，实现高效的电压转换。在电机驱动应用中，它可用于控制电机的启停和转向，提供稳定的输出性能。
　　在电池管理系统中，PJQ2410 常用于充放电控制和负载切换，确保电池的安全运行。此外，该器件还可用于 LED 照明驱动、电源适配器、工业控制模块以及各种需要高效功率开关的电子设备中。

IRFZ44N, FDPF8N50, FQP8N60