时间：2025/8/14 22:00:53
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PJP4NA90是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件主要用于高功率和高频应用，例如电源转换器、马达控制和电池管理系统。PJP4NA90的设计使其能够在高电压和大电流条件下运行，同时保持较低的导通电阻，从而提高系统效率并减少热损耗。
类型：N沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：900V
漏极-栅极电压（Vdg）：900V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：4.5A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：1.6Ω
PJP4NA90具备多种优异的电气和热特性，适用于高功率应用场景。首先，其高漏极-源极电压（900V）使其能够在高压条件下安全运行，这在电源转换和工业控制中尤为重要。其次，该MOSFET的连续漏极电流为4.5A，使其能够承受中等范围的电流负载，而不会导致明显的电压降或热损失。此外，PJP4NA90的导通电阻（Rds(on)）为1.6Ω，在同类器件中处于较低水平，有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高系统整体效率。
该器件的封装形式为TO-220，这种封装具备良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散的应用。同时，TO-220封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。栅极-源极电压为±30V，这意味着PJP4NA90可以在较宽的驱动电压范围内运行，适用于多种控制电路。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，表明该器件能够在极端温度环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
PJP4NA90广泛应用于多种高电压和中等电流的电力电子系统中。其中，最常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及马达控制电路。由于其高耐压特性，该器件也常用于照明系统，如LED驱动器和电子镇流器。此外，PJP4NA90还可用于电池管理系统，例如在电动车和储能系统中控制充放电过程。在工业自动化和家电控制领域，该MOSFET可用于控制继电器、电磁阀和其他高功率负载。其TO-220封装形式也使其适用于需要较高热管理能力的电路设计。
STP4NA90Z, 2SK2545, IRF840, FQA4N90
