时间：2025/8/14 3:10:49
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PJMP360N60EC_T0_00001 是一款由 Power Integrations 推出的高压MOSFET功率晶体管，专为高效率电源转换器应用而设计。这款晶体管采用了先进的半导体技术，具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和各种高功率电子设备中。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.16Ω
栅极电荷（Qg）：典型值为 80nC
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
PJMP360N60EC_T0_00001 具备多项优异特性，使其在高性能电源系统中表现出色。其高耐压能力达到600V，确保了在高输入电压条件下的稳定运行。同时，低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关速度。
该MOSFET采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持较低的结温，延长器件寿命。其TO-220封装形式适用于多种电路布局，并提供良好的机械稳定性和热管理能力。
另外，PJMP360N60EC_T0_00001 还具备较强的抗短路能力和较高的可靠性，适用于对稳定性要求较高的工业级应用。其宽泛的工作温度范围也使其适用于各种恶劣环境条件下的运行。
PJMP360N60EC_T0_00001 广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、UPS系统以及各种高功率密度电源设备。其优异的性能也使其适用于太阳能逆变器、工业自动化控制系统和电动汽车充电模块等高可靠性要求的场合。
IPP60R360P7S
