时间：2025/8/15 2:01:24
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PJGL24 T/R 是一款由 Panjit（强茂）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡。其封装形式为 SOT-23，属于小型表面贴装封装，适用于空间受限的电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：3.6A（在 VGS=4.5V 时）
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值，VGS=4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
功率耗散（PD）：1.5W（最大值）
PJGL24 T/R 具备低导通电阻（RDS(on)）的特点，这使其在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高电流承载能力，适合用于便携式电子设备中的电源管理模块。其沟槽式 MOSFET 结构优化了开关性能，降低了开关损耗，提高了器件在高频开关应用中的可靠性。SOT-23 封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和 PCB 布局。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺。
PJGL24 T/R 广泛应用于多种电子设备中，如便携式电源管理系统、DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路等。其高效率和小尺寸特性使其成为笔记本电脑、智能手机、平板电脑以及其他便携式消费类电子产品中的理想选择。
Si2302DS T1-GE3, AO3400A, FDN340P, IRML2803
