时间：2025/7/12 16:13:45
阅读：15
PJGBLC24C是一种高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景。其卓越的导通电阻和快速开关特性使其在高电流和高频应用中表现出色。PJGBLC24C具有低导通损耗和开关损耗，同时具备良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：24A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1200pF
工作温度范围：-55℃至175℃
PJGBLC24C是一款专为高功率密度应用设计的MOSFET器件。
其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下减少功耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适合现代高效能电力电子设备。
3. 高额定电流能力，适用于需要较大负载电流的场合。
4. 优异的热性能，能够有效降低运行时的温升。
5. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
6. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力。
PJGBLC24C广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC/DC转换器，特别是在降压和升降压拓扑中。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
5. 汽车电子中的负载切换和电池管理系统。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRF2807,
STP24NF06,
FDP16N06,
IXFN24N06T
