PJGBLC05C-AU 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效功率转换芯片,专为高频开关电源、DC-DC 转换器和快速充电器等应用设计。该芯片集成了增强型 GaN FET 和驱动电路,提供高效率和高功率密度,同时简化了 PCB 布局并降低了系统成本。
其设计注重高性能与易用性之间的平衡,采用 Au(金)线键合工艺,提升了可靠性和电气性能。PJGBLC05C-AU 在高频工作条件下表现出色,能够显著降低开关损耗,并支持高达 2MHz 的开关频率。
额定电压:650V
连续电流:5A
导通电阻:130mΩ
栅极电荷:30nC
输出电容:1500pF
最大工作温度:175℃
封装形式:TO-252
PJGBLC05C-AU 的主要特性包括:
1. 高效的 GaN 技术,提供低导通电阻和低开关损耗。
2. 内置驱动器优化了栅极驱动波形,提高了整体效率。
3. 支持高达 2MHz 的开关频率,适合高频应用。
4. 热性能优越,能在高温环境下稳定运行。
5. 具备过流保护和短路保护功能,确保使用安全。
6. 封装形式紧凑,有助于减小整体设计尺寸。
7. 采用 Au 键合工艺,提升长期可靠性。
PJGBLC05C-AU 广泛应用于以下领域:
1. USB PD 快速充电器。
2. 小型高效 AC-DC 适配器。
3. 数据中心及通信设备中的 DC-DC 转换模块。
4. 消费电子产品的电源管理单元。
5. 工业级高频逆变器。
6. LED 驱动电源。
7. 各种需要高效率和高功率密度的设计场景。
PJGBLC05D-AU, PJGBLC08C-AU