时间：2025/8/14 22:15:55
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PJF2NA1K是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道JFET（结型场效应晶体管），常用于低噪声前置放大器和模拟开关电路。JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，使其在高精度模拟电路中表现出色。PJF2NA1K封装小巧，适合便携式电子设备和高性能音频设备中的应用。
类型：P沟道JFET
漏极-源极电压(Vds)：-30V
栅极-源极电压(Vgs)：-25V
漏极电流(Id)：-100mA
功耗(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-92
PJF2NA1K具备优异的低噪声性能，适用于对噪声敏感的模拟信号处理电路。其P沟道结构使其在负电压工作下表现出色，能够提供高输入阻抗，减少对信号源的负载影响。此外，该器件具有良好的线性度，适用于高保真音频放大器和精密测量仪器。其TO-92封装形式确保了在紧凑电路板设计中的灵活性和高集成度。
此外，PJF2NA1K具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。该JFET还具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持信号的完整性。由于其低失真和高动态响应特性，PJF2NA1K广泛用于射频（RF）前端、音频前置放大器和模拟信号处理电路中。
PJF2NA1K主要应用于低噪声前置放大器、音频放大器、射频接收器前端电路、模拟开关和精密测量设备。其高输入阻抗和低噪声特性使其在高端音频设备和专业测量仪器中尤为受欢迎。该器件也适用于电池供电的便携式设备，如麦克风前置放大器、吉他效果器和便携式收音机等。
J201, 2N3638A, BF245C
