PJF2NA1K 时间：2025/8/14 22:15:55 阅读：26

PJF2NA1K是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道JFET（结型场效应晶体管），常用于低噪声前置放大器和模拟开关电路。JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，使其在高精度模拟电路中表现出色。PJF2NA1K封装小巧，适合便携式电子设备和高性能音频设备中的应用。

参数

类型：P沟道JFET
　　漏极-源极电压(Vds)：-30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：-25V
　　漏极电流(Id)：-100mA
　　功耗(Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92

特性

PJF2NA1K具备优异的低噪声性能，适用于对噪声敏感的模拟信号处理电路。其P沟道结构使其在负电压工作下表现出色，能够提供高输入阻抗，减少对信号源的负载影响。此外，该器件具有良好的线性度，适用于高保真音频放大器和精密测量仪器。其TO-92封装形式确保了在紧凑电路板设计中的灵活性和高集成度。
　　此外，PJF2NA1K具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。该JFET还具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持信号的完整性。由于其低失真和高动态响应特性，PJF2NA1K广泛用于射频（RF）前端、音频前置放大器和模拟信号处理电路中。