时间：2025/8/14 7:52:01
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PJESDA6V8-4G T/R 是一款由 PanJit Semiconductor（强茂半导体）制造的静电放电（ESD）保护二极管阵列。该器件专为高速数据线和敏感电子设备的 ESD 保护而设计，适用于多种通信接口和便携式设备。该封装为 SOT-26（SOT26）形式，采用无铅环保工艺制造，符合 RoHS 标准。
类型：ESD 保护二极管阵列
通道数：4
工作电压：6.8V
反向关断电压：5.8V
最大峰值脉冲电流（Ipp）：10A
钳位电压（Vc）：14V @ 10A
响应时间：亚纳秒级
封装：SOT-26
PJESDA6V8-4G T/R 具备出色的静电放电保护能力，可承受高达 ±30kV 的空气放电和 ±30kV 的接触放电，符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准。该器件的低钳位电压确保在发生 ESD 事件时，下游电路受到的电压应力最小，从而提高系统的可靠性。此外，其快速响应时间（亚纳秒级）可有效捕捉并抑制瞬态高压脉冲，防止损坏敏感的集成电路。
该 ESD 保护二极管阵列还具有低漏电流特性，在正常工作条件下其漏电流小于 1μA，不会对信号完整性造成影响。器件的双向保护结构使其适用于 AC 信号线路的保护。SOT-26 封装形式不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中使用，适用于便携式消费电子产品、通信设备、计算机外设等应用场景。
该器件广泛应用于 USB 接口、HDMI、以太网、RS-485、VGA、DVI、DisplayPort 等高速数据接口的 ESD 保护。同时也适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机、工业控制设备等便携式或嵌入式电子产品中，为敏感电路提供可靠的静电放电防护。
PESD5V0S4BA; ESDA6V8M48; ESDA6.8V4B
