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PJE8406_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 23:09:06 查看 阅读:28

PJE8406_R1_00001 是一款由 PanJIT(强茂)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该器件设计用于高效率电源管理应用,具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特点。适用于电源转换器、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):60A
  漏极-源极击穿电压(VDS):60V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):16mΩ(最大值)
  功耗(PD):160W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)

特性

PJE8406_R1_00001 的核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗,从而提高了系统的整体效率。
  此外,该MOSFET具备高电流承载能力,能够在大电流负载下稳定运行,适用于高功率密度设计。
  该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提升了开关性能,降低了开关损耗,使得其在高频开关应用中表现出色。
  其高耐压能力(60V VDS)使其适用于多种电源管理场景,包括电池供电系统、工业电源等。
  封装方面,采用TO-263(D2PAK)封装,具备良好的散热性能,适合表面贴装工艺,提高了组装效率和可靠性。
  内置的静电放电(ESD)保护机制也增强了器件在复杂工作环境下的稳定性。

应用

PJE8406_R1_00001 广泛应用于各类电源管理系统中,例如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关和电池管理系统(BMS)。
  由于其高电流能力和低导通电阻,该器件也非常适合用于电机驱动和电源管理模块中的开关元件。
  在工业自动化设备中,PJE8406_R1_00001 可用于控制高功率负载,如继电器、电磁阀和LED照明系统。
  此外,该MOSFET也适用于通信设备中的电源模块,如服务器电源、路由器和交换机的电源管理电路。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,PJE8406_R1_00001 也能够发挥其高效能和稳定性的优势。

替代型号

SiM6862EDA-T1-GE3, FDP6862, AOD4184A, IRFZ44N

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PJE8406_R1_00001参数

  • 现有数量947现货
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)4,000 : ¥0.66779卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)800mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.92 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-523 扁平引线
  • 封装/外壳SC-89,SOT-490