时间：2025/8/14 15:03:22
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PJE8405_R1_00001 是一款由 PanJIT（强茂）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等。该 MOSFET 采用了先进的沟槽式技术，提供了较低的导通电阻和高功率密度，有助于提升系统效率并减少散热需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：PowerPAK SO-8
PJE8405_R1_00001 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高电流条件下保持稳定的工作状态。此外，其 PowerPAK SO-8 封装形式提供了良好的热性能，使器件能够在高功率密度环境下运行。
该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发的高电压或电流条件下保持稳定。其栅极设计支持快速开关，适用于高频应用，有助于减小外围元件的尺寸并提升系统响应速度。同时，±20V 的栅源电压耐受能力使其适用于多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
在可靠性方面，PJE8405_R1_00001 符合 RoHS 标准，并具备良好的抗静电（ESD）性能，适用于工业级和汽车电子应用。其 -55°C 至 +175°C 的宽工作温度范围也使其能够在恶劣环境中稳定运行。
PJE8405_R1_00001 主要应用于高性能电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及负载开关等。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在服务器电源、通信设备电源和工业自动化设备中具有广泛的应用前景。
在服务器和数据中心的电源模块中，该 MOSFET 可用于提高转换效率并减少热量产生，从而提升系统的整体可靠性。在电池管理系统中，PJE8405_R1_00001 可用于控制电池充放电路径，确保电池组的安全运行。此外，该器件也适用于电动工具、无人机和便携式储能设备等高功率密度应用场景。
SiR844DP-T1-GE3, SQM50N03-1L, AO4496
