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PJE8403_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 6:29:57 查看 阅读:23

PJE8403_R1_00001 是一款由PanJIT(强茂)公司生产的电子元器件,主要用于电源管理和功率控制应用。这款器件通常用于需要高效能和稳定性的电子设备中,如电源供应器、DC-DC转换器和负载开关等。它以其优异的性能和可靠性在业界享有良好的声誉。

参数

参数名:类型,参数值:功率MOSFET
  参数名:最大漏极电流,参数值:8A
  参数名:最大漏源电压,参数值:30V
  参数名:导通电阻,参数值:0.022Ω
  参数名:封装类型,参数值:DFN3x3

特性

PJE8403_R1_00001是一款高性能的功率MOSFET,具有低导通电阻和高电流承载能力。其低导通电阻(Rds(on))为0.022Ω,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。此外,它支持最大漏极电流为8A,适用于高功率密度设计。该器件采用DFN3x3封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合紧凑型电路设计。
  这款MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和电机控制。其30V的漏源电压能力使其在多种电源管理场景中表现出色,尤其是在需要稳定性和可靠性的应用中。PJE8403_R1_00001还具有低栅极电荷(Qg)特性,有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。由于其优异的热性能和电气特性,这款器件在工业、消费电子和汽车电子领域都有广泛的应用。

应用

PJE8403_R1_00001广泛应用于各种电源管理和功率控制电路中。常见的应用场景包括电源供应器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在电源供应器中,它用于高效的能量转换和调节。在DC-DC转换器中,该器件的低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地进行电压转换。此外,它还适用于需要高电流承载能力和良好热性能的负载开关应用。在电池管理系统中,PJE8403_R1_00001可以用于电池充放电控制,确保系统的稳定性和安全性。由于其高可靠性和紧凑的封装设计,这款MOSFET也适合用于空间受限的便携式设备和汽车电子系统。

替代型号

Si2302DS, BSS138, AO3400A

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PJE8403_R1_00001参数

  • 现有数量52,455现货
  • 价格1 : ¥3.50000剪切带(CT)4,000 : ¥0.78432卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)600mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)340 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)151 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-523 扁平引线
  • 封装/外壳SC-89,SOT-490