时间：2025/7/11 12:35:34
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PJE36HWS 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其主要特点是能够承受较高的漏源电压，并且在高频开关条件下仍能保持较低的功耗，非常适合需要高效能和稳定性的应用环境。
型号：PJE36HWS
类型：N-Channel Power MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：55nC
总功耗(Ptot)：170W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PJE36HWS 的设计目标是满足高效率和高可靠性的需求。其低导通电阻可显著降低传导损耗，而快速的开关速度则减少了开关损耗。
此外，该器件采用了优化的封装设计，具有良好的散热性能，从而提升了整体的工作稳定性。
由于其出色的电气特性和机械性能，PJE36HWS 在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。
该芯片适用于多种场景下的电力电子设备，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类电机驱动电路，例如步进电机和直流无刷电机。
3. DC-DC转换器的核心元件。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
PJE36HWS 的高可靠性使其能够在恶劣环境下长期运行，成为许多工程师的首选方案。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5500
