类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：2.6mΩ（典型值）
　　最大功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 / DPAK

PJE260N02 具备一系列出色的电气和热性能，适用于高效功率系统设计。
　　首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）为 2.6mΩ，这显著降低了导通损耗，使其在高电流应用中表现出色。低 Rds(on) 还有助于提高系统的整体效率，减少发热，延长器件寿命。
　　其次，PJE260N02 的最大漏源电压为 20V，最大连续漏极电流可达 60A，这使其适用于中等电压和高电流场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等。此外，其栅源电压容限为 ±12V，确保在控制信号变化时仍能稳定工作。
　　该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热传导性能，有助于在高负载下维持较低的结温。该封装也支持表面贴装（SMT）工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　PJE260N02 的设计优化了开关性能，具备较低的输入电容（Ciss）和快速的开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其热稳定性强，配合适当的 PCB 布局和散热设计，可以在较高环境温度下稳定运行。
　　总体而言，PJE260N02 是一款适用于高效率、高密度电源设计的高性能 MOSFET，特别适合对空间和散热要求较高的现代电子设备。

PJE260N02 的应用场景广泛，主要包括：
　　1. **DC-DC 转换器**：用于升压、降压或反相拓扑结构，适用于电源管理模块、电源适配器和便携式设备电源系统。
　　2. **同步整流器**：在高频开关电源中替代传统二极管以提高转换效率。
　　3. **负载开关**：用于控制高电流负载的开启和关闭，例如 LED 驱动、风扇控制和电机驱动。
　　4. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电管理，确保电池安全和高效运行。
　　5. **电源管理 IC 的外置开关管**：作为功率级器件与控制器配合使用，提高系统灵活性和可扩展性。
　　6. **工业控制设备**：如 PLC、工业电源和电机控制器等对可靠性要求较高的场合。
　　7. **汽车电子系统**：例如车载充电器、电动工具和车用电源模块，其耐高温和高电流能力满足汽车应用需求。

SiR142DP-T1-GE3, IRF7413, FDS6680, AO4406A, IPD90N03C3