PJE138L 时间：2025/8/15 3:02:42 阅读：11

PJE138L 是一款由PanJit（强茂）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理与功率控制电路中。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高耐压特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电系统等应用场景。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A（Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：1.25W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　存储温度范围：-55℃~150℃
　　封装：TO-252（DPAK）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.28Ω（Vgs=10V，Id=5A）
　　阈值电压(Vgs(th))：1V~3V
　　漏极-源极击穿电压(BVDSS)：100V

特性

PJE138L 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有广泛应用。首先，其漏源耐压达到100V，可适用于中高压功率转换系统。栅极耐压为±20V，具备良好的抗电压冲击能力。该器件在Vgs=10V时的导通电阻Rds(on)典型值为0.28Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。最大连续漏极电流为10A，在良好的散热条件下可以支持较高的负载能力。
　　此外，PJE138L 采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。该封装形式也提高了器件的机械稳定性和热循环耐久性。工作温度范围从-55℃到150℃，使其可在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、消费电子和车载系统等多种应用场景。
　　在开关特性方面，PJE138L 具有较快的开关速度，适用于高频率工作的电源拓扑结构，如PWM控制的DC-DC转换器。其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，器件内部的寄生电容较小，有助于降低高频工作时的振荡和噪声干扰。

应用

PJE138L 主要用于需要中高功率开关能力的电路中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关控制、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源、工业自动化设备以及各类便携式电子产品中的电源管理模块。此外，该器件也可用于功率因数校正（PFC）电路和开关电源（SMPS）中。