时间：2025/8/14 8:21:05
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PJD85N03_L2_00001是一款由PowerJect（力积电子）生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、低导通损耗和高可靠性设计，适用于各种电源管理和功率转换应用。其主要特点是低导通电阻RDS(on)、高耐压能力和大电流处理能力，使其在电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统中具有广泛的应用。PJD85N03_L2_00001采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，以实现更低的导通损耗和更高的开关性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：85A
导通电阻(RDS(on))：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252、TO-263或其他表面贴装封装形式
功率耗散(PD)：150W
输入电容(Ciss)：约2000pF
开关时间（导通/关断）：约10ns / 20ns
PJD85N03_L2_00001具有多项优异的电气和机械特性，首先，其低导通电阻RDS(on)可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)仅为4.5mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的功耗。
其次，该MOSFET具备较高的电流处理能力，额定连续漏极电流可达85A，适用于高功率密度应用。此外，PJD85N03_L2_00001的开关性能优异，具有快速的导通和关断时间，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
该器件采用先进的沟槽式工艺制造，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。同时，其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。
封装方面，PJD85N03_L2_00001通常采用TO-252或TO-263等封装形式，便于安装和散热管理。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供更高的稳定性和保护。
PJD85N03_L2_00001广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。其主要应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源分配系统。
在DC-DC转换器中，PJD85N03_L2_00001作为主开关器件，能够实现高效率的能量转换，尤其适用于高电流输出的应用场景。在负载开关电路中，该MOSFET可用于控制电源的通断，具有低导通损耗和快速响应能力。
此外，该器件也适用于电动工具、电动车辆、工业自动化设备和服务器电源系统。由于其高可靠性和良好的热管理能力，PJD85N03_L2_00001也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电机控制模块。
SiR850DP-T1-GE3, IPP095N15N5, FDS8858, AO4407A, FDS8873
