类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.021Ω（在 VGS=10V）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

PJD50N10L 具有优异的导通和开关性能，主要得益于其先进的沟槽式 MOSFET 设计。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。此外，该器件支持高达 50A 的连续漏极电流，能够满足高功率密度设计的需求。
　　该 MOSFET 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片工艺。其高耐压能力（100V）使其在各种拓扑结构中（如同步整流、Buck/Boost 转换器）都能稳定工作。
　　器件具备较高的抗雪崩能力和坚固的结构设计，能够在复杂的工作环境中提供可靠的性能。此外，PJD50N10L 还具有快速的上升和下降时间，适用于高频开关应用，有助于减小外围元件的尺寸并提高系统响应速度。

PJD50N10L 主要用于高性能电源转换系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、工业电源、服务器电源以及高功率 LED 驱动器等应用场景。
　　该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的设计，例如通信设备中的电源模块、汽车电子中的功率控制电路以及消费类电子产品中的电源适配器等。
　　由于其高电流容量和低导通电阻，PJD50N10L 在电池供电设备中也表现出色，可以有效延长设备的使用时间并减少发热问题。

IRF540N, FDP50N10, STP50N10FZ, IPD50N10S3-03