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PJD4NA70_L2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 14:07:24 查看 阅读:19

PJD4NA70_L2_00001 是一款由 Power Integrations 推出的高集成度离线式反激变换器控制器,主要用于开关电源(SMPS)设计。该器件集成了高压功率 MOSFET 和先进的控制算法,适用于各种低功耗电源应用,如适配器、充电器、智能电表以及工业控制电源等。其主要优势在于高效能、低待机功耗以及出色的动态响应性能。

参数

芯片类型:离线式反激控制器
  集成功率MOSFET:700V

特性

PJD4NA70_L2_00001 具备多项先进特性,使其在低功耗电源设计中表现出色。首先,它采用了高效的反激式拓扑结构,能够在宽输入电压范围内提供稳定可靠的输出。其次,该芯片集成了700V的功率MOSFET,简化了外围电路设计,降低了整体方案的复杂度和成本。此外,PJD4NA70_L2_00001 支持频率抖动技术,有效降低了电磁干扰(EMI),使得设计更容易通过EMC认证。
  该芯片还具备多种保护机制,包括过温保护(OTP)、过流保护(OCP)、过压保护(OVP)和欠压锁定(UVLO),确保系统在异常工作条件下也能安全运行。其智能控制算法能够根据负载变化自动调整工作模式,在轻载或无载情况下进入高效的突发模式(Burst Mode),从而大幅降低待机功耗,满足严格的能效标准如欧盟的CoC Tier-2和美国的DoE Level VI。
  在系统设计方面,PJD4NA70_L2_00001 提供了良好的灵活性,支持多种输出电压配置,适用于USB PD、QC等多种快充协议。其DIP-8封装形式也便于手工焊接和测试,适合于原型设计和小批量生产。

应用

PJD4NA70_L2_00001 主要应用于以下类型的电源系统:USB充电器、笔记本电脑适配器、智能电表电源、LED照明驱动器、工业自动化设备电源、家用电器辅助电源等。由于其高集成度和出色的能效表现,特别适合对空间、成本和能效都有较高要求的消费类电子产品和工业控制设备。

替代型号

PJD4NA70_TL_DC

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PJD4NA70_L2_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)3,000 : ¥3.19740卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)514 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)77W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63