PJD4NA70 时间：2025/8/15 0:32:11 阅读：11

PJD4NA70是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于各种工业电源设备、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。PJD4NA70采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装（SMT）工艺，具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：700V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

PJD4NA70具备出色的电气性能和热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　其高耐压能力（700V）使其适用于高压电源转换器和开关电路。
　　低导通电阻（Rds(on)）为2.5Ω，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　该器件具有良好的雪崩击穿耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
　　PJD4NA70的TO-252封装设计便于散热，适用于表面贴装工艺，提高生产效率。
　　此外，该MOSFET具备较高的栅极驱动兼容性，可与多种控制IC和驱动电路配合使用。

应用

PJD4NA70广泛应用于各种功率电子设备中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关。
　　在工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制高电压负载，如继电器、电磁阀和电机。
　　由于其高耐压和良好的热管理能力，PJD4NA70也适用于LED照明驱动电路和电源管理系统。
　　此外，该器件还可用于消费类电子产品中的开关电源（SMPS）部分，如电视、音响设备和电源管理模块。