时间：2025/8/14 14:42:00
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PJD4NA65H_L2_00001是一款由Rohm Semiconductor生产的功率MOSFET，适用于高效率电源转换和开关应用。这款MOSFET具备低导通电阻和高耐压能力，能够在高频率下运行，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-252
最大漏源电压(Vds)：650V
最大漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：1.2Ω（最大）
栅极电荷(Qg)：15nC
工作温度范围：-55°C至150°C
漏极-源极击穿电压：650V
栅极-源极电压范围：±30V
PJD4NA65H_L2_00001采用了Rohm先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和较高的开关性能。该器件具有优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET具备快速恢复二极管功能，可以有效减少反向恢复损耗，提高系统的整体性能。其TO-252封装形式也便于散热，适用于高功率密度设计。
该器件广泛应用于AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、工业自动化设备、电机控制模块、电池管理系统以及各类高效率开关电源设计中。在这些应用中，PJD4NA65H_L2_00001能够提供高可靠性和优异的能效表现。
TK11A65W, FQP10N65C, STQ10N65M5T4G, 2SK2137, 2SK2545
