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PJD4NA60 发布时间 时间:2025/8/15 1:02:04 查看 阅读:13

PJD4NA60是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高电压和高功率场合,如电源转换、电机控制、LED驱动、开关电源(SMPS)等。该器件由东芝(Toshiba)或类似半导体厂商生产,采用TO-252或DPAK等表面贴装封装,具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的设计场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):±30V
  漏极电流(ID):4A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):最大2.5Ω(典型值可能更低)
  功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

PJD4NA60具备多项优良特性,适用于高要求的电力电子应用。其主要特性包括:
  ? 高耐压能力:该MOSFET的漏源电压(VDS)额定值为600V,使其适用于高电压开关应用,如AC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路和高压电源系统。
  ? 低导通电阻:PJD4NA60的RDS(on)最大为2.5Ω,较低的导通电阻可减少导通损耗,提高系统的整体效率,有助于实现更高的能量转换效率。
  ? 高电流容量:其连续漏极电流额定值为4A,能够在中等功率应用中提供稳定的电流处理能力,适用于如DC-DC转换器、马达驱动器和电池充电器等设计。
  ? 良好的热稳定性:采用TO-252封装,具备较好的热传导性能,能够有效散热,确保在高功率负载下仍能保持稳定工作状态,延长器件寿命。
  ? 高可靠性:该MOSFET设计有内置的静电放电(ESD)保护功能,能够防止因静电而导致的损坏,提高整体系统的稳定性。
  ? 易于驱动:由于其栅极电荷较低,PJD4NA60可以使用标准的MOSFET驱动电路进行控制,降低了驱动电路的复杂性和成本。
  综上所述,PJD4NA60是一款适用于多种高压、中等功率应用的高性能MOSFET,具有良好的导通性能、热稳定性和可靠性。

应用

PJD4NA60被广泛应用于多个电力电子领域,包括:
  ? 开关电源(SMPS):用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式电源设计,实现高效率的电能转换。
  ? 马达控制:适用于小型电机驱动电路,如风扇控制、泵类设备和工业自动化系统。
  ? LED照明驱动:用于高压LED驱动电源,实现高功率因数和恒流控制。
  ? 电池管理系统:在电池充电和放电控制电路中作为开关元件使用。
  ? 家用电器:如微波炉、电磁炉、洗衣机等电器的电源管理模块。
  ? 工业自动化:用于PLC、变频器、伺服控制器等设备中的电源和驱动部分。

替代型号

TK11A60D, 2SK2141, IRFBC20, FQP4N60C

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