时间：2025/8/14 10:50:13
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PJD45N03_L2_00001 是一款由 Power Integrations 推出的高集成度、高效能的功率开关器件，广泛应用于离线式电源转换器和DC-DC转换器中。该芯片内部集成了高压MOSFET和控制器，采用先进的功率封装技术，具有良好的热管理和系统稳定性。适用于适配器、充电器、工业电源等多种应用领域。
类型：功率MOSFET与控制器集成芯片
最大漏源电压(Vds)：725V
最大连续漏极电流(Id)：0.45A（典型值）
导通电阻(Rds(on))：典型值为 1.9Ω
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：DIP-8C
输入电压范围：85VAC 至 265VAC
开关频率：66kHz（典型值）
启动电流：低于 50μA
最大功率损耗：1.5W
PJD45N03_L2_00001 具备多项先进特性，使其在电源转换应用中表现出色。
首先，该器件集成了高压MOSFET和PWM控制器，减少了外部元件数量，提高了系统的可靠性，并简化了设计流程。其内置的高压启动电路可以有效降低启动电流，从而提升效率并减少发热。
其次，该芯片支持宽输入电压范围，适用于全球范围内的交流电网电压，包括85VAC至265VAC的通用输入范围，非常适合用于全球通用的电源适配器和充电器设计。
此外，PJD45N03_L2_00001 具备出色的节能特性，在轻载或空载条件下可自动进入频率折返模式和突发模式，显著降低待机功耗，满足严格的能效标准（如Energy Star和DoE VI）。
在保护功能方面，该芯片具备全面的安全机制，包括过温保护（OTP）、过流保护（OCP）、输出过压保护（OVP）和输入欠压保护（UVLO），有效防止异常工作条件对系统造成损坏。
最后，其封装形式为DIP-8C，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作，同时便于PCB布局和制造。
PJD45N03_L2_00001 广泛应用于各种中小功率电源系统中。例如，智能手机、笔记本电脑和平板电脑的充电器适配器；LED照明驱动电源；工业控制电源模块；以及智能电表、家电控制器等需要高效、低待机功耗的电源系统。由于其集成度高、外围电路简单，特别适合用于设计紧凑型、高可靠性的电源产品。
LNK6232D-TB, TNY276P
