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PJD35P03_L2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 14:25:12 查看 阅读:8

PJD35P03_L2_00001是一款由PanJit(强茂)公司生产的35A、3V肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),用于高效能电源转换和整流应用。该器件采用TO-277封装形式,适合用于中高功率的电源供应器、直流对直流转换器和电池充电系统。其主要设计目标是实现低正向压降和快速开关性能,以提升电源转换效率并减少能量损耗。

参数

电流容量:35A
  正向电压降:约0.33V(典型值,最大0.45V)
  反向耐压:30V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-277
  最大反向电流:500μA(典型值)
  热阻:RθJC ≤ 1.5°C/W
  重量:约2.5g

特性

PJD35P03_L2_00001是一款高性能的肖特基二极管,适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。由于其低正向电压降,该器件在导通状态下能显著减少功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,其低反向漏电流特性确保在高温环境下仍能保持稳定运行,适合用于高密度功率模块设计。器件的TO-277封装提供了良好的散热性能,确保在高电流负载下仍能维持较低的结温。PJD35P03_L2_00001具有较高的浪涌电流承受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,这使其适用于电源启动或负载突变的应用场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,满足现代电子制造的环保要求。
  该器件的快速恢复时间几乎可以忽略不计,这使其适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和同步整流电路。PJD35P03_L2_00001的设计也确保了其在不同温度条件下的稳定性能,能够在恶劣环境中可靠运行。由于其紧凑的封装设计,该器件易于集成到各种电源模块和电路板布局中,节省空间并提高系统集成度。此外,该器件具有良好的焊接可靠性和长期稳定性,适用于工业级和汽车电子应用。

应用

PJD35P03_L2_00001广泛应用于各种电源系统和功率转换电路中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动器和车载充电器等。其低正向压降和高电流能力使其特别适用于需要高效能和低损耗的电源设计。此外,该器件也可用于同步整流电路,以提高转换效率并减少热量产生。在工业和汽车电子领域,该器件常用于电源模块、电机控制电路和高功率LED照明系统中。由于其良好的高温稳定性和可靠性,PJD35P03_L2_00001也可用于恶劣环境下的电力电子设备,如工业自动化控制系统和新能源发电系统。

替代型号

SB3530, SK35VB30CT, SS330HE3_A/H

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PJD35P03_L2_00001参数

  • 现有数量2,428现货
  • 价格1 : ¥4.69000剪切带(CT)3,000 : ¥1.65353卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.4A(Ta),35A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)19 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1169 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta),35W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63