时间：2025/8/14 9:00:03
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PJD2NA70_L2_00001 是一款由PanJit（强茂）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：最大55mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散(Pd)：80W
漏源击穿电压(BR)Vds：70V
栅极电荷(Qg)：15nC
PJD2NA70_L2_00001 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其最大导通电阻仅为55mΩ，在Vgs=10V时可确保良好的导通性能。该器件支持高达10A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。
此外，该MOSFET具有高达±20V的栅源电压耐受能力，提高了在高压环境下的稳定性和可靠性。其TO-252（DPAK）封装形式支持表面贴装，适合自动化生产流程，同时具备良好的散热性能，有助于在高功率负载下保持较低的工作温度。
PJD2NA70_L2_00001 的栅极电荷（Qg）仅为15nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
该器件广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电机驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的高效率电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能和高可靠性要求场景的理想选择。
SiSSNA70L, FDP10N70, FDS8870, IRFZ44N
