PJD2NA70 时间：2025/8/15 0:40:30 阅读：13

PJD2NA70 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，常用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和高开关速度的特点，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关等多种应用场景。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：700V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：2A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.5Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

PJD2NA70 的主要特性之一是其具备较低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其Rds(on)在Vgs=10V时最大为3.5Ω，这在同类型MOSFET中属于较低水平。
　　另一个显著特点是其高耐压能力，漏源电压（Vds）额定值为700V，使其适用于高电压应用，如AC-DC电源转换器和高压DC-DC转换器。
　　该MOSFET的栅源电压为±30V，表明其对栅极驱动电压具有较高的容限，可以在较宽的控制电压范围内稳定工作。
　　连续漏极电流额定值为2A，适合中等功率的应用需求。在散热设计良好的情况下，其最大功率耗散可达到50W，表现出良好的热稳定性。
　　此外，PJD2NA70采用TO-220或TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于多种PCB布局和安装方式。

应用

PJD2NA70广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，它常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，以提高转换效率。
　　在电池管理系统中，PJD2NA70可作为充放电路径的控制开关，其低导通电阻有助于减少能量损耗并提高电池利用率。
　　此外，它也适用于DC-DC转换器，如升压（Boost）或降压（Buck）变换器，用于调节电压和电流输出。
　　在电机控制和驱动电路中，PJD2NA70可以作为H桥电路的一部分，用于控制电机的正反转和速度调节。
　　由于其高耐压特性，PJD2NA70也可用于高压负载开关、LED驱动器以及工业自动化控制系统中的功率控制部分。