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PJD2NA1K 发布时间 时间:2025/8/15 0:47:25 查看 阅读:29

PJD2NA1K是一款由Panasonic(松下)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件,主要用于电子设备中的开关控制和功率转换。PJD2NA1K采用了P沟道MOSFET的结构设计,适用于低电压和高电流的应用场景,例如电源管理、电池供电设备以及负载开关控制。这款MOSFET器件采用小型化封装,具备较高的集成度和可靠性,是许多便携式电子产品和工业控制系统中的关键组件。

参数

类型:P沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  最大漏极电流(Id):-4.7A
  导通电阻(Rds(on)):34mΩ @ Vgs = 4.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-723
  功率耗散(Pd):200mW

特性

PJD2NA1K具有多个优异的电气和物理特性,使其在各种应用中表现出色。首先,其P沟道结构设计使其在低电压操作时具有出色的性能,尤其是在电池供电设备中,能够实现高效的能量管理。其次,该MOSFET的导通电阻非常低,仅为34mΩ,当栅极电压为4.5V时,这有助于降低功耗并提高整体效率。此外,PJD2NA1K的SOT-723封装形式非常紧凑,有助于节省PCB空间,非常适合高密度电路设计。其最大漏极电流为-4.7A,能够在较高负载条件下稳定工作,适用于多种功率开关应用。PJD2NA1K还具备良好的热稳定性和抗静电能力,能够在恶劣环境下保持长期可靠性。由于其栅极驱动电压较低,PJD2NA1K可以与标准逻辑电平兼容,简化了电路设计和控制逻辑。这些特性使PJD2NA1K成为许多现代电子设备的理想选择。

应用

PJD2NA1K广泛应用于多个领域,包括消费电子、工业控制和通信设备。在消费电子产品中,它常用于便携式设备的电源管理系统,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,用于高效控制电池供电。此外,它也适用于LED照明系统中的开关控制,能够实现精确的亮度调节和节能效果。在工业控制系统中,PJD2NA1K可作为负载开关或电机驱动器的一部分,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。由于其小型化封装和高性能特性,该器件也常用于电源适配器、DC-DC转换器以及各类电池管理系统(BMS)中。另外,在汽车电子系统中,PJD2NA1K可用于车载充电器、车灯控制系统以及电池保护电路,确保在复杂环境下的稳定运行。

替代型号

Si2301DS, BSS84, AO3401A

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