PJD25N10A 时间：2025/8/15 0:45:03 阅读：25

PJD25N10A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由PanJit（强茂）公司生产。这款MOSFET具有高耐压、大电流能力，适用于多种功率转换和电源管理应用。其设计确保了低导通电阻、良好的热稳定性和高效的开关性能，适合在高要求的电子系统中使用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：约30mΩ（典型值，取决于具体版本）
　　最大功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

PJD25N10A的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率；高电流承载能力使其适用于高功率应用场景；具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行；该MOSFET的封装形式（TO-252）适合表面贴装工艺，便于在PCB上安装和散热管理。此外，它还具有快速开关能力，适用于高频开关电源设计。
　　此外，PJD25N10A的结构设计优化了电场分布，提高了器件的雪崩能量承受能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低驱动损耗，提高开关速度，从而进一步提升整体系统效率。

应用

PJD25N10A广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、负载开关和电机驱动电路等。此外，它也适用于工业控制、汽车电子、LED照明驱动、电源适配器以及各类消费类电子产品中的功率开关应用。由于其优异的性能和可靠性，PJD25N10A也可用于要求较高的工业自动化设备和新能源系统中。