时间：2025/8/14 9:06:35
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PJD1NA60A_L2_00001 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换和功率管理应用设计。该器件采用先进的沟槽工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、高击穿电压和优异的热稳定性。PJD1NA60A_L2_00001 的典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等。
型号：PJD1NA60A_L2_00001
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：360A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为1.2mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55℃至175℃
PJD1NA60A_L2_00001 功率MOSFET采用了先进的沟槽式结构，这种设计显著降低了导通电阻并提高了电流处理能力。其低RDS(on)特性减少了导通损耗，从而提高了系统效率并降低了热生成。该器件的高电流容量和低热阻使其适用于高功率密度设计。此外，PJD1NA60A_L2_00001 提供了出色的短路和过热保护能力，确保在严苛条件下的可靠运行。封装方面，该器件通常采用TO-263（D2PAK）封装形式，具有良好的散热性能，并支持表面贴装（SMT）工艺，简化了PCB组装过程。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于集成到各种电源管理系统中。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率。PJD1NA60A_L2_00001 还具有低输入电容（Ciss）和低反向恢复电荷（Qrr），适合高频开关应用。其优异的雪崩能量耐受能力也增强了在突发过电压条件下的可靠性。
PJD1NA60A_L2_00001 MOSFET广泛应用于多个电力电子领域，包括但不限于：高效DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、服务器和电信电源系统、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机的功率控制、汽车电子系统（如车载充电器和DC-DC变换器）、工业自动化和电机控制等。其高电流能力和低导通损耗使其成为高功率密度设计的理想选择。
TPH1R406TLC
NTMFS5C431NLT1G
SiS112DN-T1-GE3
