时间：2025/8/14 13:18:21
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PJD100P03_L2_00001 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET器件，专为高效率电源管理和功率转换应用而设计。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制等应用。其封装形式通常为PowerFLAT或DPAK等，有助于提高散热性能并减小PCB占用空间。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：约6.5mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：75W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 mm2或DPAK
PJD100P03_L2_00001 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其Rds(on)在典型工作条件下仅为6.5mΩ，这使得该器件能够在高电流负载下保持较低的功率损耗。
此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极技术，提供优异的开关性能和快速的响应时间，适用于高频开关应用。该器件还具备良好的热稳定性，得益于其封装设计和高功率耗散能力，能够在高负载条件下保持较低的温度上升。
为了增强可靠性和耐用性，PJD100P03_L2_00001 还集成了过温保护和雪崩能量耐受能力，使其在严苛的工作环境中仍能保持稳定运行。这使其特别适用于工业级和汽车电子应用，如电动车辆（EV）充电系统、48V电源架构和功率因数校正（PFC）电路。
该器件广泛应用于多种高功率和高效率场景，如开关电源、DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、工业自动化设备和电池管理系统。此外，它也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电机驱动器。
STL100N10F7, IPP100N10S4-03, FDP100N10, IRF1010Z
