时间：2025/8/14 11:17:19
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PJD100N04_L2_00001 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高电流、高频率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于电源转换器、马达控制和负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds)：40V
连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大4.7毫欧（在Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V至3.5V
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
PJD100N04_L2_00001 MOSFET采用先进的沟槽式技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件在高电流下仍能保持稳定的工作性能，非常适合高负载应用场景。此外，该MOSFET具有优异的热管理能力，能在高温环境下长期可靠运行。其高栅极绝缘性能确保了器件在高频开关应用中的安全性和稳定性。通过优化设计，该器件的开关损耗较低，有助于提高系统的整体能效。这种MOSFET还具备较高的短路耐受能力，为系统提供额外的保护功能。
PJD100N04_L2_00001 通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、逆变器以及各种高电流和高频开关应用中。它特别适合需要高效率和高可靠性的工业设备、汽车电子系统和消费类电子产品。
PJD100N04AL_L2_00001, PJD100N04AG_L2_00001
