PJA55P03 时间：2025/8/15 1:14:19 阅读：24

PJA55P03 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件属于P沟道MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种电源管理电路。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-55V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-100A
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ（典型值，具体取决于VGS）
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

PJA55P03 MOSFET具备多项优异特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其具有较低的导通电阻（RDS(on)），在高电流工作条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达-55V的漏源电压，具备良好的电压耐受能力，适用于中高压电源系统。
　　此外，PJA55P03采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于在高功率密度设计中使用。该封装还支持高电流承载能力，有助于减少PCB布局中的电流瓶颈。
　　在驱动能力方面，该MOSFET的栅极电荷（Qg）相对较低，有利于提高开关速度并降低驱动损耗。同时，其具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高系统的可靠性。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业、汽车电子、消费类电源等多种应用场景。

应用

PJA55P03 MOSFET广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。其典型应用包括同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池充放电管理、热插拔电源控制、电机驱动电路以及服务器和通信设备的电源模块。
　　在汽车电子领域，该器件可被用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）和车用DC-DC转换器，满足高可靠性和宽温范围的工作需求。此外，在工业自动化和UPS（不间断电源）系统中，PJA55P03也可作为主功率开关或同步整流元件，提供高效的能量转换性能。
　　由于其高集成度和优良的热管理能力，PJA55P03也常被用于需要多并联MOSFET的设计中，以实现更高的输出功率和更低的总导通电阻。