时间：2025/8/14 17:27:56
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PJA3471_R1_00001是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的工艺制造，具有优异的导通特性和快速的开关性能，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：DFN10
PJA3471_R1_00001 MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），典型值为2.7mΩ，这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其适用于高功率密度的设计。此外，该器件具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了其在严苛环境下的可靠性。快速的开关特性有助于减少开关损耗，从而提高整体系统的性能。DFN10封装形式提供了优良的散热性能和紧凑的设计，适合空间受限的应用场景。
该器件还具备良好的热稳定性和过温保护能力，确保在高负载条件下的安全运行。其栅极驱动设计兼容常见的驱动电路，简化了系统设计并降低了整体成本。此外，PJA3471_R1_00001在高温下的性能衰减较小，适合需要高可靠性的工业和汽车应用。
总的来说，PJA3471_R1_00001是一款高性能MOSFET，具备优异的电气特性和机械特性，适合多种高功率应用场景。
PJA3471_R1_00001广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域。
TPH1R406ND, SiZ104DT, SQJQ160E
