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PJA3471_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 17:27:56 查看 阅读:19

PJA3471_R1_00001是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的工艺制造,具有优异的导通特性和快速的开关性能,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:DFN10

特性

PJA3471_R1_00001 MOSFET具有低导通电阻(Rds(on)),典型值为2.7mΩ,这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。其高电流承载能力和低热阻特性使其适用于高功率密度的设计。此外,该器件具备优良的雪崩能量耐受能力,增强了其在严苛环境下的可靠性。快速的开关特性有助于减少开关损耗,从而提高整体系统的性能。DFN10封装形式提供了优良的散热性能和紧凑的设计,适合空间受限的应用场景。
  该器件还具备良好的热稳定性和过温保护能力,确保在高负载条件下的安全运行。其栅极驱动设计兼容常见的驱动电路,简化了系统设计并降低了整体成本。此外,PJA3471_R1_00001在高温下的性能衰减较小,适合需要高可靠性的工业和汽车应用。
  总的来说,PJA3471_R1_00001是一款高性能MOSFET,具备优异的电气特性和机械特性,适合多种高功率应用场景。

应用

PJA3471_R1_00001广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、负载开关、工业自动化设备以及汽车电子系统等领域。

替代型号

TPH1R406ND, SiZ104DT, SQJQ160E

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PJA3471_R1_00001参数

  • 现有数量22,172现货
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.96647卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)900mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)650 毫欧 @ 900mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)448 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3