时间：2025/8/4 20:26:57
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PJA3460_R1_00001 是富士通（Fujitsu）生产的一款N沟道功率MOSFET，适用于高电压和高电流应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻和高效率的开关性能。PJA3460_R1_00001通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种工业应用中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
栅极电荷（Qg）：55nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
PJA3460_R1_00001 MOSFET具有多项优越的电气特性，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下最小的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件的高耐压能力（600V）使其适用于需要高电压隔离的电源系统。
采用先进的沟槽技术，PJA3460_R1_00001在开关过程中表现出优异的稳定性和可靠性，减少了开关损耗并提高了系统的整体性能。其高栅极电荷（Qg）虽然略高，但在高功率密度设计中仍然能够提供良好的动态性能。
该MOSFET的TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定运行。此外，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种恶劣的工业环境。
PJA3460_R1_00001广泛应用于各种高功率电子设备中，包括电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统和工业自动化设备。其高耐压和高电流能力使其成为需要高效能功率管理的首选器件。
IXFH30N60P、STW34NBK2、IRGP4063D
