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PJA3430_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 22:24:01 查看 阅读:19

PJA3430_R1_00001 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET器件,主要用于高效率电源转换系统,例如DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优良的热性能,能够在高电流负载下保持稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(Id):30A
  最大漏-源电压(Vds):30V
  导通电阻(Rds(on)):最大10.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:SOP Advance(可节省空间并提供良好散热)

特性

PJA3430_R1_00001 具有低导通电阻,可显著降低功率损耗,提高系统效率。这在需要高电流能力的电源设计中尤为重要。
  该器件采用的沟槽结构优化了电场分布,使其具备更高的击穿电压耐受能力和更小的芯片尺寸,从而提升了功率密度和可靠性。
  此外,PJA3430_R1_00001 还具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持性能稳定,避免因温度升高导致的性能下降或失效。
  其封装形式为SOP Advance,提供了良好的散热性能和空间利用率,适用于对尺寸敏感的高密度电路设计。
  这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V驱动电压,同时也兼容较低的驱动电压,便于与各种控制电路配合使用。

应用

PJA3430_R1_00001 主要应用于以下领域:
  1. 电池供电设备中的DC-DC升压/降压转换器,如便携式电子产品、电动工具和无人机等。
  2. 负载开关电路,用于控制高电流负载的通断,如服务器、存储设备和工业控制系统。
  3. 电源管理系统,特别是在需要高效率、低损耗的场合,如电动汽车(EV)电池管理系统和太阳能逆变器。
  4. 同步整流器,提高AC-DC电源的转换效率。
  5. 电机驱动器和功率放大器等需要大电流能力的场合。

替代型号

TPH3R30ANL, SiSS130DN, AO4406

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PJA3430_R1_00001参数

  • 现有数量64,725现货
  • 价格1 : ¥2.78000剪切带(CT)3,000 : ¥0.48380卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.8 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)92 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3