类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：34mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

PJA3408 T/R 具有低导通电阻（Rds(on)），在10V栅极电压下可实现26mΩ的导通电阻，显著降低导通损耗，提高系统效率。其沟槽结构设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适合高频应用。器件具备良好的热稳定性，SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化散热设计，能够在较高电流下稳定工作。
　　此外，PJA3408 T/R 的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动电压，兼容多种驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高整体效率。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。由于其SOT-23封装尺寸小、重量轻，适合用于空间受限的便携式设备和高密度电源模块。

PJA3408 T/R 广泛应用于各类电源管理系统和功率转换设备中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路以及工业控制系统的电源模块。在便携式电子设备中，该器件常用于电源管理单元（PMU）中的高侧或低侧开关，以实现高效的能量传输和管理。
　　此外，该MOSFET也适用于马达驱动电路、LED驱动器以及智能电表等需要高效、小型功率开关的场合。其高可靠性和优异的热性能使其在汽车电子和工业自动化系统中也具备良好的适应性。

Si2302DS, 2N7002, FDN340P, AO3400