类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V = 15mΩ（最大）；@2.5V = 22mΩ（最大）
　　功耗（Pd）：3.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOT26

PJA3404-AU具有多项优异的电气和热性能，使其在各种电源管理应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。其在4.5V的栅极驱动电压下，Rds(on)最大仅为15mΩ，在2.5V的较低驱动电压下也仅为22mΩ，适用于低电压驱动电路。
　　其次，PJA3404-AU具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达14A，适合中高功率的开关应用。其栅极驱动电压范围较宽（可支持低至2.5V的驱动电压），兼容多种控制电路设计，包括由低电压MCU或电源管理IC驱动的场景。
　　此外，该器件采用TSOT26小型封装，具备良好的热管理性能，在有限的PCB空间内仍能有效散热。这使得PJA3404-AU非常适合用于空间受限但需要高性能的便携式电子设备和高密度电源模块。
　　最后，PJA3404-AU的可靠性和耐用性也十分出色，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种恶劣的工作环境。

PJA3404-AU广泛应用于多种电源管理及功率控制电路中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备的电源控制、电机驱动电路以及各种需要高效、高频开关性能的电子系统。此外，它还可用于电信设备、工业自动化、消费类电子产品和汽车电子系统中的电源模块设计。

Si2302DS, AO3400, FDN340P, IRLML2502