品牌：Power Integrations
　　产品系列：InnoSwitch3-Pro
　　拓扑结构：反激式
　　最大输出功率：约100W
　　输入电压范围：85VAC - 265VAC（宽输入）
　　开关频率：可变，准谐振模式
　　集成MOSFET耐压：750V
　　控制方式：初级侧PWM控制 + 次级侧同步整流驱动
　　通信技术：FluxLink?磁耦合反馈
　　封装形式：ISOPackage-28D
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　保护功能：过温、过流、短路、输入欠压/过压保护

PJ9216N18的核心优势在于其高度集成化的设计理念，将高压功率开关、初级控制器、次级侧同步整流驱动及数字反馈接口全部集成在一个芯片封装内，显著减少了外部元器件数量，简化了电路设计流程，并提升了整体系统的可靠性。其内置的750V PowiGaN?氮化镓功率开关具有极低的导通电阻和开关损耗，使得电源系统能够在高频下高效运行，同时减小变压器和滤波元件的尺寸，有助于实现小型化和轻量化设计。
　　该器件采用InnoSwitch3-Pro架构，支持精确的恒压（CV）和恒流（CC）调节，适合用于电池充电应用。通过次级侧控制器发送反馈信号至初级侧，利用FluxLink?技术实现无光耦的隔离通信，不仅避免了传统光耦因老化导致性能下降的问题，还提高了动态响应速度和调节精度。此外，PJ9216N18具备自适应多模式控制能力，可根据负载情况自动切换工作模式（如连续导通模式CCM、断续导通模式DCM和准谐振QR模式），以优化不同负载下的能效表现。
　　在安全性方面，PJ9216N18集成了多重保护机制，包括逐周期电流限制、过温关断、输出过压保护（OVP）、输出短路保护（SCP）以及输入线路监测功能。这些保护措施可在异常情况下迅速切断电源输出，防止损坏后端设备或引发安全事故。芯片还支持可编程软启动功能，有效抑制开机瞬间的浪涌电流，延长系统寿命。得益于其出色的热管理和EMI抑制设计，PJ9216N18能够满足全球主流能效标准，如DoE Level VI、EU CoC V5 Tier 2等，广泛应用于高性能电源解决方案中。

PJ9216N18主要面向中高功率密度的离线式电源转换应用，典型使用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机的快速充电适配器，尤其是支持USB-PD（Power Delivery）协议的GaN充电器设计。由于其高效的能量转换能力和紧凑的系统布局，也常被用于工业自动化设备中的辅助电源模块、智能家居网关、路由器、网络摄像头以及LED照明驱动电源等领域。
　　在医疗电子设备中，该芯片凭借其高隔离性和稳定输出特性，可用于符合安全认证要求的低功率医用电源设计。此外，在消费类电子产品如游戏机配件、无线耳机充电盒、电动工具充电器中也有广泛应用。由于其支持宽输入电压范围和全负载范围内高效率运行，PJ9216N18非常适合出口型电源产品，能够适应全球不同地区的电网环境。在电动汽车充电桩的控制板辅助电源、智能电表和楼宇控制系统中，该器件也能提供可靠的供电保障。随着氮化镓（GaN）技术在电源领域的普及，PJ9216N18作为基于PowiGaN?平台的重要成员，正推动着下一代高效、小型化电源产品的快速发展。

INN3370C