类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：110V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为13.3mΩ（在Vgs=10V）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　功率耗散（Pd）：170W（最大值，TC=25°C）
　　雪崩能量（EAS）：1.2J
　　栅极电荷（Qg）：典型值为47nC
　　输入电容（Ciss）：典型值为1750pF

PJ61N113MR采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流能力和优异的热性能使其在高功率密度设计中表现出色。该器件还具有较高的抗雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供良好的保护，避免因电压尖峰而损坏。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗，提升系统整体效率。
　　该器件的栅极结构设计优化了栅极电荷和输入电容，有助于提升开关速度并降低驱动损耗。同时，其宽泛的工作温度范围允许其在极端环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和稳定性。TO-263封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，适合自动化生产流程。
　　此外，PJ61N113MR具备良好的短路耐受能力，在高电流负载条件下能够维持稳定的性能。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力和长期可靠性，适用于对稳定性要求较高的工业和汽车应用。

PJ61N113MR常用于各种电源管理及功率控制应用中，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、电源适配器、UPS系统、工业电源以及汽车电子系统中的功率控制模块。该器件的优异性能使其在需要高效率、高可靠性和高功率密度的场合中表现出色，适用于通信设备、服务器电源、储能系统以及新能源汽车相关应用。

IRF1404, STP60NF06, FDP61N113, SiHF61N113