品牌：Power Integrations
　　产品系列：InnoSwitch3-Pro
　　器件型号：PIS63-100MT
　　封装类型：InSOP-24D
　　集成MOSFET类型：PowiGaN? GaN FET
　　最大耐压：750 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值450 mΩ
　　工作频率范围：30 kHz - 132 kHz
　　控制模式：准谐振（QR）、CCM、DCM自适应
　　反馈方式：FluxLink? 数字磁感通信（无光耦）
　　控制精度：±1% 恒压（CV）/ 恒流（CC）调节
　　启动时间：典型值<1 s
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　引脚数：24
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　保护功能：OVP、OCP、OTP、SCP、Brown-in/out、Line OV/UV
　　符合安规标准：IEC 60950-1, IEC 62368-1
　　环保属性：符合RoHS，无卤素

PIS63-100MT的核心特性之一是采用了Power Integrations独有的PowiGaN?技术，即将氮化镓（GaN）材料应用于集成的高压功率开关上。相比传统的硅基MOSFET，GaN器件具有更高的电子迁移率和更优的开关性能，能够在更高频率下工作而不会显著增加开关损耗。这使得电源系统可以实现更高的功率密度，减小变压器和输出滤波元件的体积，同时提高整体转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现尤为突出。得益于GaN技术带来的低导通电阻和快速开关能力，PIS63-100MT可以在保持低温升的同时处理高达100W以上的输出功率，非常适合紧凑型高能效电源设计。
　　另一个关键特性是其高级别的集成度与智能控制架构。该芯片不仅集成了750V的PowiGaN?主开关，还包括初级侧控制器、多模式PWM调制器、同步整流驱动器、次级侧反馈接收模块以及完整的保护逻辑电路。通过FluxLink?双向数字通信技术，实现了初级与次级之间的高速、高可靠性信号传输，取代了传统光耦加TL431的反馈方案，避免了光耦老化导致的性能漂移问题，提升了长期稳定性。此外，InnoSwitch3-Pro系列支持可编程控制接口（I2C或UART），允许外部微控制器动态调整输出电压和电流，实现复杂的充电协议或多档位输出配置，适用于USB PD、QC等多种快充应用场景。
　　在保护机制方面，PIS63-100MT提供了多层次的安全保障。它具备输入电压监测功能，可在电网波动时进行欠压锁定（Brown-in/Brown-out）和过压关闭；内部热关断电路会在芯片温度超过阈值时自动切断输出，防止热失控；逐周期电流限制和前沿消隐功能有效防止误触发；同时还能检测输出短路和开环故障，并执行相应的重启或锁存动作。这些综合性的保护措施大大增强了电源系统的鲁棒性，满足工业级和消费类产品的严苛要求。

PIS63-100MT广泛应用于需要高效率、高可靠性且空间受限的离线式开关电源中。典型应用包括大功率适配器和充电器，例如笔记本电脑、电动工具、无人机、智能家居中枢设备使用的65W至100W以上的USB-C PD电源适配器，利用其高集成度和GaN技术优势，可实现小型化、轻量化设计，同时满足全球能效标准如DoE Level VI和EU CoC v5 Tier 2。在工业领域，该芯片可用于PLC电源模块、工业传感器供电单元、电机驱动辅助电源等对EMI和长期稳定性有严格要求的场合。
　　此外，PIS63-100MT也适用于高端LED照明系统，特别是大功率户外照明、舞台灯、植物生长灯等需要恒流输出和调光功能的应用。其精确的恒流控制能力和宽负载调节范围使其能够稳定驱动多串LED阵列，配合外部MCU可通过I2C接口实现智能调光和状态反馈。在通信基础设施中，该器件可用于路由器、交换机、光网络终端（ONT）等设备的板载电源，提供隔离式多路输出解决方案。
　　由于支持数字可编程输出，PIS63-100MT还可用于开发支持多种快充协议（如USB Power Delivery 3.0、PPS、QC4+）的智能充电站或多端口充电器，实现动态电压/电流调配，最大化充电效率并兼容不同品牌设备。其无光耦设计也降低了BOM成本和装配复杂度，适合自动化大规模生产。总体而言，该芯片适用于追求高性能、高集成、低待机功耗和数字化控制的现代电源系统设计。

INN3370CQ-TL, INN3377CQ-TL, PAG1065PN