时间：2025/12/28 1:59:04
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PIS105-150MT是一款由Power Integration推出的高集成度、单片式离线开关电源IC，专为低功耗至中等功率的反激式转换器设计。该器件集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路，适用于需要高效率、小体积和高可靠性的电源应用。PIS105-150MT属于InnoSwitch3-Pro系列，采用PowiGaN技术，即基于氮化镓（GaN）的功率开关，显著提升了开关频率和能效，同时降低了导通损耗和开关损耗。该芯片支持精确的原边反馈控制，无需光耦即可实现次级侧电压和电流的精准调节，从而简化了变压器设计并减少了外部元器件数量。其内置的多重保护功能包括过载保护、过温保护、输出短路保护以及输入欠压/过压保护，增强了系统的鲁棒性。此外，PIS105-150MT具备动态调整开关频率和跳周期模式的能力，在轻载条件下可维持高效率并满足全球能效标准，如Energy Star和DoE Level VI。该器件广泛应用于家电、工业控制、智能家居、充电器和辅助电源等领域。
品牌：Power Integrations
系列：InnoSwitch3-Pro
拓扑结构：反激式
功率开关类型：PowiGaN GaN FET
最大耐压：750V
输出功率范围：最高约105W
开关频率：30kHz - 132kHz（可变）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：InSOP-28D
控制方式：原边调节（PSR）
反馈方式：数字同步整流驱动与精确次级侧控制
集成控制器：准谐振/CCM/DCM多模式反激控制器
保护功能：OVP, OCP, OTP, LPS, BPP
符合安规标准：IEC 60950-1, IEC 62368-1
待机功耗：<30mW（典型值）
效率：>94%（典型应用）
PIS105-150MT采用Power Integrations独有的PowiGaN技术，将氮化镓（GaN）功率开关集成于单芯片中，相比传统硅基MOSFET，GaN器件具有更低的导通电阻和更快的开关速度，从而大幅降低传导和开关损耗。这使得电源系统可以在更高的开关频率下运行，进而减小变压器和输出滤波元件的尺寸，实现更高功率密度的设计。该芯片内部集成了一个高压电流源，用于启动过程中的自供电，减少了外部启动电阻的数量，并加快了启动响应时间。
InnoSwitch3-Pro架构引入了FluxLink?通信技术，这是一种磁隔离数字通信链路，能够在初级侧控制器与次级侧检测电路之间实现安全、可靠的双向信息传输。这种设计摒弃了传统光耦反馈路径，不仅提高了长期可靠性（避免光耦老化问题），还实现了±1%的高精度电压和电流调节，适用于对输出稳定性要求极高的应用场景。此外，芯片具备自适应多模式控制能力，可根据负载情况自动在连续导通模式（CCM）、临界导通模式（CrM）和不连续导通模式（DCM）之间切换，优化整个负载范围内的转换效率。
该器件还内置完整的故障保护机制，包括线路欠压锁定（UVLO）、过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温关断（OTP）以及漏极引脚箝位保护。当发生异常时，控制器会进入自动重试或闭锁模式，防止损坏外围元件。值得一提的是，PIS105-150MT支持可编程的电流限制阈值和动态调整输出电压，便于实现恒压/恒流（CV/CC）双环控制，特别适合电池充电和LED驱动等应用。其InSOP-28D封装具有增强型爬电距离设计，满足加强绝缘要求，适用于全球通用输入电压（85VAC–265VAC）环境下的离线电源设计。
PIS105-150MT广泛应用于多种需要高效、紧凑且高可靠性的离线电源系统中。典型用途包括家用电器中的主电源或辅助电源，例如洗衣机、冰箱、空调等设备的控制板供电模块；在工业自动化领域，可用于PLC、传感器接口、继电器驱动和小型电机控制器的电源部分。由于其出色的效率表现和低待机功耗特性，该芯片非常适合满足严苛能效法规的产品，如符合DoE Level VI和Energy Star认证的适配器与外置电源（EPS）。
在消费类电子产品中，PIS105-150MT可用于笔记本电脑适配器、游戏机电源、智能音箱和网络路由器的内置电源设计。其高功率密度优势也使其成为USB-PD快充充电器的理想选择，尤其是在多口输出、高集成度方案中表现出色。此外，在医疗设备中，由于其具备加强绝缘封装和无光耦设计带来的更高长期可靠性，可用于非侵入式医疗仪器的辅助电源。LED照明驱动也是其重要应用方向之一，特别是在需要恒流输出和宽调光范围的商业照明或户外灯具中。得益于其宽输入电压范围和优异的瞬态响应能力，PIS105-150MT还可用于电网波动较大的地区或工业环境下的稳定供电解决方案。
INN3370CQ-TL, INN3377C, PIS136-150MT
