时间：2025/9/14 9:35:46
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PIMD2,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP（Thin Small Outline Package）封装，适用于中等功率和高频开关应用。该器件设计用于在高效率、小尺寸和良好热性能方面提供出色的性能。PIMD2,115 的额定电压为 20V，额定电流为 4.1A，适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理单元等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：52mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ @ Vgs=2.5V
功耗（Ptot）：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TSSOP-8
PIMD2,115 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了效率。其双通道设计使其非常适合用于需要多个独立开关的应用，如 H 桥电路、负载切换和电源分配系统。该器件的栅极驱动电压范围宽，可在 2.5V 至 4.5V 范围内工作，兼容多种逻辑电平驱动器，使其适用于低压微控制器和数字信号处理器（DSP）控制的系统。
此外，PIMD2,115 具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高负载条件下稳定运行。其 TSSOP 封装提供了优异的热管理和空间利用率，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。该器件还具有较低的输入电容和开关损耗，适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。Nexperia 的 MOSFET 产品线以其高质量和稳定性著称，适用于汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备等领域。
PIMD2,115 主要用于以下应用场景：电源管理系统中的负载开关控制，用于防止过载或短路；DC-DC 转换器中的同步整流器，以提高转换效率；电机驱动电路中的 H 桥结构，用于实现正反转控制；电池供电设备中的电源切换和能量管理；以及各类嵌入式系统和微控制器系统中的功率开关应用。由于其低导通电阻和高效率特性，PIMD2,115 也广泛应用于 LED 照明、USB 电源开关和便携式电子设备中的功率管理电路。
Si2302DS, 2N7002K, BSS138, FDS6675, NDS355AN
