型号：PI3L100QE
　　制造商：Vishay Siliconix
　　通道数：2
　　隔离电压：5000 VRMS（1分钟，按UL 1577）
　　工作电压范围（VDD1/VDD2）：2.25 V 至 5.5 V / 4.5 V 至 18 V
　　输出驱动电流（峰值）：2 A（拉电流和灌电流）
　　传播延迟时间：典型值45 ns
　　脉宽失真：< 15 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：> 100 kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：20引脚SOIC宽体（DW suffix）
　　数据速率：支持高达2 Mbps信号传输
　　电源电压逻辑侧：3.3 V 或 5 V 兼容
　　上升/下降时间：典型值15 ns（负载条件下）
　　隔离寿命：> 60年（基于材料认证）

PI3L100QE具备卓越的电气隔离性能，采用Vishay专有的VC（Virtual Choke）磁耦合技术，在单芯片上集成了微型变压器，实现了信号跨隔离屏障的高效传输。这种集成化的磁隔离方案不仅消除了传统光耦合器所需的外部隔离元件或额外的DC-DC转换器，还大幅提升了系统的长期可靠性和抗老化能力。相较于传统的光耦或电容隔离器件，PI3L100QE具有更低的传播延迟和更高的定时精度，适用于高频开关应用，如图腾柱PFC电路、LLC谐振变换器等。其双通道独立架构允许灵活配置为高低边驱动组合，支持死区时间控制以防止直通现象发生。
　　该器件在噪声抑制方面表现出色，具备极高的共模瞬态抗扰度（CMTI），即使在极端的电压跳变环境下（例如母线电压快速变化时），也能保证信号完整性，避免误触发导致功率器件损坏。内部集成的欠压锁定（UVLO）电路分别监控两侧电源电压，当任一侧供电低于安全阈值时自动关闭输出，防止弱驱动状态下的功率管非饱和导通。此外，PI3L100QE支持双向数据传输，并可通过外部电阻调节输出级的上升/下降速率，进一步优化EMI性能与开关损耗之间的平衡。
　　PI3L100QE还具备良好的热稳定性，芯片内部集成了温度传感器与热关断保护机制，当结温超过限定值时将自动禁用输出级，待温度恢复后重新启动，有效防止因过热引发的永久性损伤。所有这些特性均通过AEC-Q100等汽车级可靠性认证，使其不仅适用于工业领域，也可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等严苛环境下的应用。其小型化封装设计有助于节省PCB空间，同时简化了散热布局要求。

PI3L100QE广泛应用于需要高效率、高可靠性和紧凑设计的现代电力电子系统中。在新能源领域，它常用于光伏逆变器中的功率级驱动，尤其是在三相逆变桥结构中提供稳定的高边与低边栅极驱动信号，确保最大功率点跟踪（MPPT）算法的精确执行。在电动汽车相关设备中，该芯片被集成于车载充电机（OBC）和高压DC-DC转换器中，用于驱动SiC MOSFET或IGBT模块，满足高压电池管理系统对绝缘等级和响应速度的严格要求。
　　在工业自动化与电机驱动方面，PI3L100QE适用于伺服驱动器、变频器和无刷直流电机控制器，其快速响应能力和高CMTI特性可有效应对电机绕组产生的反电动势干扰，保障控制系统稳定运行。通信电源和服务器电源模块也大量采用该器件，特别是在48 V至12 V中间总线转换器（IBC）或多相VRM设计中，作为同步整流FET或主开关的驱动核心，提升整体能效并降低系统温升。
　　此外，PI3L100QE还可用于UPS不间断电源、医疗设备电源以及智能电网设备中的隔离驱动环节。由于其支持宽输入电压范围和双极性输出配置，能够适应不同功率等级和拓扑结构的需求。在模块化电源设计中，工程师可以利用其标准化接口快速搭建可扩展的多通道驱动平台，缩短产品开发周期。总体而言，PI3L100QE凭借其高性能、高集成度和强健的保护机制，已成为现代高密度电源系统中不可或缺的关键组件之一。

Si8239x系列
　　UCC21520
　　ADuM120N0
　　MAX22701E