时间：2025/9/13 22:24:41
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PHPT61006NY是一款由ON Semiconductor生产的高性能、低功耗的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供出色的导通性能和开关效率。PHPT61006NY是一款N沟道增强型MOSFET，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池管理系统等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：最大0.28Ω @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
技术：Trench沟槽技术
PHPT61006NY具备优异的导通特性和开关性能，能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件采用先进的Trench沟槽技术，优化了电场分布，提升了器件的击穿电压和热稳定性。此外，PHPT61006NY具有较高的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供稳定的性能。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），适用于多种驱动电路，增强了设计的灵活性。其封装形式为PowerPAK SO-8，具有良好的热管理能力，适用于空间受限的高密度电路设计。PHPT61006NY的封装尺寸较小，便于在PCB上布局，同时提供了良好的散热性能，适用于高功率密度应用。
此外，该器件具备良好的短路耐受能力，在过载或故障条件下能够提供一定的保护功能。其低漏电流特性也有助于减少待机功耗，提高系统的能效表现。PHPT61006NY符合RoHS标准，适用于绿色环保的电子产品设计。
PHPT61006NY广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业控制系统以及消费类电子产品中的电源模块。其优异的导通性能和封装优势使其在需要高效率和小尺寸解决方案的应用中尤为突出。
Si7155DP, FDS6680, NTD66N03R
