时间：2025/6/4 4:14:02
阅读：7
PHPT610030NK是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件适用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的应用场景。其低导通电阻和高击穿电压特性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：61A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：78nC
功耗：18W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
PHPT610030NK具有超低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗并提升系统效率。
此外，该器件具备快速开关性能，适合高频应用环境。
它还拥有强大的热稳定性和鲁棒性设计，确保在严苛条件下依然保持可靠运行。
由于采用了先进的制造工艺，该芯片可以提供出色的电流承载能力以及较低的热阻特性，有助于散热管理。
另外，该产品符合RoHS标准，满足环保要求。
该芯片广泛应用于直流-直流转换器、不间断电源(UPS)系统、逆变器、电动工具中的电机控制模块、LED驱动电路以及各种需要高效功率管理的场合。
其高电流处理能力和紧凑型封装使得它非常适合空间受限但性能要求高的设计。
IRFZ44N, STP55NF06L, FDP5500
