PHPT60603NY 时间：2025/9/15 1:56:19 阅读：10

PHPT60603NY 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能、低功耗的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有优异的导通性能和开关特性，适用于高频率开关应用。PHPT60603NY 是一款 N 沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压和低导通电阻的特点，适合用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制和电池管理系统等应用场景。该器件采用紧凑的封装形式，便于在高密度电路设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 3.0mΩ（典型值可能更低）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 或其他类似紧凑型封装
　　功率耗散（PD）：取决于散热条件，典型值为 100W 左右
　　栅极电荷（Qg）：典型值约为 140nC
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：60V

特性

PHPT60603NY 是一款专为高效率功率转换系统设计的MOSFET，其核心特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的额定漏极电流高达60A，能够承受较高的电流负载，适用于高功率密度设计。PHPT60603NY 的封装设计优化了热性能，使得在高负载下仍能保持良好的散热能力，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，确保在不同电路设计中都能获得良好的导通性能。PHPT60603NY 的开关特性表现出色，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关等。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统在异常情况下的鲁棒性。其高温工作能力确保在严苛环境下依然能够稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的领域。

应用

PHPT60603NY 广泛应用于各种功率电子系统中，尤其适用于高效率和高功率密度的设计。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及各种工业和汽车电子控制系统。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET也常用于高频率开关电源和逆变器设计中，能够有效提高系统效率并降低能耗。此外，在新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车充电模块中，PHPT60603NY 也展现出良好的适应性和可靠性。